一种基于银基键合丝的半导体键合工艺

摘要

本发明属于半导体封装技术领域，具体公开了一种基于银基键合丝的半导体键合工艺，所述工艺使用银基键合丝作为焊接线材，包括如下步骤：银基键合丝通过线夹进入瓷嘴，并在瓷嘴末端露出部分银基键合丝，瓷嘴移动到芯片焊盘上方位置，线夹打开，瓷嘴垂直落下，与芯片焊盘接触，完成一焊焊接；线弧，线夹关闭，瓷嘴往上抬起，银基键合丝被拉起到设定的高度后，从最高点移动到基材第二个焊点的位置；瓷嘴垂直向下移动，与基材焊盘接触，完成二焊焊接。本发明采用热超声键合的方式，利用银基键合丝将芯片和基材上的引线键合，相对于金丝键合，具有更好的工艺兼容性，且能够极大的节约成本，并具有高的光反射率和更低的电阻。