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公开/公告号CN111200022A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-26
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;
申请/专利号CN201911119708.8
发明设计人 C.莱恩德茨;R.埃斯特夫;A.毛德;A.迈泽;B.齐佩利乌斯;
申请日2019-11-15
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人陈晓
地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-15号
入库时间 2023-12-17 08:00:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-26
公开
机译: 集成肖特基结的SiC功率半导体器件
机译: 具有集成肖特基交界处的SIC功率半导体器件
机译: 具有结势垒肖特基二极管的SIC半导体
机译:具有隔离的浮动沟槽和超结的4H-SiC结势垒肖特基二极管
机译:演示具有三区结扩展的4H-SiC中的13kV类结势垒肖特基二极管
机译:采用集成的P型肖特基二极管,在4H-SiC双沟超结MOSFET中获得了改进的反向恢复特性
机译:具有集成结屏障控制肖特基整流器的SIC MOSFET的雪崩坚固性和反向偏置可靠性
机译:4H碳化硅中的单片集成功率JFET和结势垒肖特基二极管。
机译:具有4H-SIC肖特基二极管的60-700 k CTAT和PTAT温度传感器
机译:由4H-SiC衬底上的表面极化电荷驱动的具有薄界面间隔物的金属/ 4H-SiC结的肖特基势垒调制
机译:si,siC和金刚石结和肖特基功率二极管的电特性模拟