SiC结势垒肖特基二极管的重离子单粒子效应

摘要

在100～600V偏压下,对600,1 200,3 300V的SiC结势垒肖特基二极管用加速器产生的氙(Xe)和钽(Ta)重离子进行了辐照实验.结果 表明,器件漏电流随入射离子LET、注量及偏压的增加而增大,甚至出现了短路失效.分析认为,肖特基结局部被重离子破坏,形成漏电通路,造成SiC二极管漏电流增大,直至发生单粒子烧毁.