沟道式栅极金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了沟道式栅极金属氧化物半导体场效晶体管。N型外延层位于N型基底上，且具有第一沟道及位于第一沟道下方的第二沟道。第一沟道宽于第二沟道。第一绝缘层位于第二沟道中。第一导体层及第二导体层分别位于第一沟道的下部及上部。第二绝缘层位于第一导体层与N型外延层之间以及第一绝缘层与第一导体层之间。第三绝缘层位于第二导体层与N型外延层之间。第二绝缘层厚于第三绝缘层。P型第一掺杂区位于第一沟道底部的N型外延层中且环绕第二沟道的顶部。P型第二掺杂区位于第二沟道底部的N型外延层中。源极区位于N型外延层中且环绕第一沟道的顶部。