通过使用源极和漏极中的III-V 族半导体中间层来减小N 沟道晶体管的接触电阻的方法

摘要

主要提出了一种通过使用源极和漏极中的III-V族半导体中间层来减小N沟道晶体管的接触电阻的方法。在这方面，介绍了一种器件，其包括：N型晶体管，具有源极区域和漏极区域；第一层间电介质层，邻近所述晶体管；沟槽，穿过所述第一层间电介质层至所述源极区域；以及所述沟槽中的导电的源极接触部，所述源极接触部通过III-V族半导体中间层而与所述源极区域分隔开。也公开且要求保护了其它的实施例。