用于改善晶圆单一化的方法及装置

摘要

出自包括晶圆180的半导体基板的电子器件12的镭射单一化是使用出自2个波长范围的多达3个镭射150、160、170所实行。使用出自2个波长范围的多达3个镭射150、160、170允许以晶粒附着膜184所固持的晶圆180的镭射单一化而避免由单波长切块所引起的问题。特别而言，使用出自2个波长范围的多达3个镭射150、160、170允许半导体晶圆180的有效率切块而避免关联于镭射处理晶粒附着带184的碎片与热问题。