用于易碎材料的镭射单一化的改善的方法及装置

摘要

本发明实施例提供一种用于电子基板60单一化成晶粒的改良方法，运用一镭射70先在该基板60形成切割62，而后借由改变镭射参数以对切割62之边缘63去角66、67。此去角66、67动作借由降低残留损伤而增加晶粒断裂强度，并在不需要额外制程步骤、额外设备或耗材供应下移除初始镭射切割62所造成的碎片。