银耦合增强GaN基发光二极管的器件结构及制备方法

摘要

一种Ag耦合增强GaN基发光二极管结构，包括：一蓝宝石衬底层；一n型GaN层，该n型GaN层制作在蓝宝石衬底层上；第一Ag光栅结构，该Ag光栅结构制作在蓝宝石衬底层内靠近n型GaN层与蓝宝石衬底层间界面一侧，利用表面等离子体耦合导出局限在器件内部波导模，减少全反射提高光取出效率；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在n型GaN层上；一p型GaN层,该p型GaN层制作在多量子阱有源层上；第二Ag光栅结构，该Ag光栅结构制作在p型GaN层内靠近多量子阱有源层一侧，利用Ag表面等离子体高局域场特性，来提高材料的辐射跃迁几率；一金属Al薄膜层，该Al薄膜层制作在第二Ag光栅结构上。