退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
包魁; 章蓓; 代涛; 康香宁; 陈志忠; 王志敏; 陈勇;
北京大学物理学院和宽禁带半导体研究中心;
微流与纳米技术研究中心;
人工微结构和介观物理国家重点实验室;
北京100871;
Laboratoire de Photonique et Nanostructures;
Route de Nozay;
91460 Marcoussis;
France;
GaN基发光二极管; 出光效率; 纳米压印技术; 微结构;
机译:纳米压印光刻技术增强的具有12倍光子准晶体的GaN基垂直注入发光二极管的光输出功率
机译:通过纳米压印光刻技术改善具有粗糙表面的GaN基功率芯片发光二极管的光输出
机译:通过聚合物膜压印增强GaN基发光二极管的光输出
机译:通过一步电流阻挡设计提高GaN基发光二极管的光输出功率
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:通过在p-GaN表面图案化光子准晶体和n侧侧壁粗糙化来增强GaN基发光二极管的光输出功率
机译:利用双光子准晶体模式提高GaN基发光二极管的光输出功率
机译:在独立式GaN模板上通过mOCVD生长GaN和In(x)Ga(1-x)N薄膜的微结构
机译:GaN基发光二极管的半球状微结构阵列及其形成方法
机译:具有双异质结构的发光GaN基复合半导体器件,可提高亮度和发光输出
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。