光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法

摘要

一种光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法，包括如下步骤：首先在GaN样品上表面生长一层二氧化硅层，作为刻蚀GaN材料的掩模层；在二氧化硅掩模上旋涂上一层光刻胶，需要是对所用激光感光的光刻胶；取一短波长激光器作为光源，将短波长激光器激光用扩束透镜扩束，扩束后的光再经会聚透镜聚焦，然后照射在光子微结构模板上，光子微结构模板在会聚透镜后，二者间距离Z_T，该模板采用电子束曝光技术制作的模板，其上图形为光子微结构；激光通过光子微结构模板后，将带有光子微结构模板映像在与其距离为Z_T处的GaN样品上，将光子微结构模板的像成在GaN样品的光刻胶掩模上，通过干法刻蚀，将光子微结构可以刻蚀到GaN材料上。