光子晶体结构GaN基蓝光发光二极管结构及制作方法

摘要

一种光子晶体结构GaN基蓝光发光二极管结构，包括：一蓝宝石衬底；一N型GaN层，该N型GaN层直接生长在蓝宝石衬底上，该N型GaN层的一侧的平面上刻蚀有一台阶，形成一大平面和一小平面；一GaN材料有源层，该GaN材料有源层制作在N型GaN层上的大平面上；一P型GaN层，该P型GaN层制作在有源层上；一P型电极和P型焊盘，该P型电极和P型焊盘铺设在P型GaN层上；一N型电极和N型焊盘，该N型电极和N型焊盘铺设在N型GaN层上的小平面上；一光子晶体区，该光子晶体区刻蚀形成在有源层和P型GaN层内，甚至直到N型GaN层内，即刻蚀周期性圆孔结构；在该光子晶体区的中心形成一光子晶体空白区。