通过氢处理形成低应力氮化硅层

摘要

一种方法，包括：将晶圆放入工艺室中；和在晶圆的基底层上沉积氮化硅层。沉积氮化硅层的工艺包括将含硅前体引入工艺室中；从工艺室清除含硅前体；将氢自由基引入工艺室中；从工艺室清除氢自由基；将含氮前体引入工艺室中；和从工艺室清除含氮前体。本发明实施例涉及通过氢处理形成低应力氮化硅层。