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亢喆; 黎威志; 袁凯; 蒋亚东;
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;
PECVD; 射频; 混频; 氮化硅; 应力;
机译:使用二氯硅烷和氨气混合物通过PECVD沉积的低温低氢含量氮化硅薄膜
机译:使用硅烷和氮气通过VHF-PECVD制备的非晶氮化硅薄膜的光学性质
机译:PECVD制备的非晶氢化碳氮化硅薄膜的结构和光学性质
机译:PECVD法制备氮化硅薄膜的应力研究
机译:用RBS,ERDA和CARS测定脉冲PECVD氮化硅薄膜中的氢。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:PECVD氮化硅薄膜的弹性模量和应力梯度评估
机译:2.5(Ω)cm硅晶片表面复合速度非常低,采用si氧化物和si氮化物的低温pECVD得到
机译:通过PECVD后UV固化提高氮化硅薄膜拉伸应力的方法。
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