Dept. of Electronics Science Applied Physics, Fuzhou University, 350002, China;
silicon nitride films; residual stress; PECVD;
机译:使用硅烷和氮气通过VHF-PECVD制备的非晶氮化硅薄膜的光学性质
机译:快速热退火富硅氮化硅膜中PECVD生长的硅纳米级夹杂物的介电功能
机译:用于太阳能电池的PECVD生长的无氨非晶氮化硅薄膜的拉曼光谱和FTIR研究
机译:PECVD制备的氮化硅薄膜应力研究
机译:用RBS,ERDA和CARS测定脉冲PECVD氮化硅薄膜中的氢。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:PECVD氮化硅薄膜的弹性模量和应力梯度评估