一种绝缘层上硅总剂量效应版图加固技术

摘要

本发明提出了一种绝缘层上硅总剂量效应版图加固技术，包括：设计出SOI晶体管的总剂量效应加固版图；加固时，将SOI工艺体引出与晶体管有源区之间的隔离氧化硅(埋孔)布置在晶体管的版图四周；埋孔的外围布置上四条体引出，并用金属互联环绕。由于埋孔比浅槽隔离浅，进而Si/SiO2界面会减少；另一方面体引出也会稳定有源区电势，屏蔽衬底Si/SiO2界面对晶体管沟道的影响，最终实现对总剂量效应的加固。