纳米硅提高SIMOX绝缘埋层的总剂量辐射加固技术

摘要

本文首先对Si注入在SIMOX的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇的结构进行了论述.接头号,对纳米硅在绝缘埋层中的俘获电子的行为机理进行分析讨论;最后,对利用纳米硅提高SIMOX材料的绝缘埋层的制备的MOSFET的辐射特性进行了报道.