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【2h】

Production of GaAs transistors with the Schottky barrier in Bi-GaAs-AsCl3-HCl-SnCl2-H2-He system by epitaxial deposition

机译：通过外延沉积在Bi-Gaas-ASCL3-HCl-SnCl2-H2系统中使用肖特基屏障的GaAs晶体管的生产

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V. O. Voronin;
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年度 2006
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