Semiconductor Materials; Etching; Gallium Arsenides; Lasers; Electrical Properties; Equations; Numerical Data; Photochemical Reactions; ERDA/360601;
机译:电子氧化物,聚合物和半导体的干蚀刻
机译:ZnSe基ll-Vi半导体的选择性超高真空干法刻蚀工艺
机译:使用光化学选择性干式凹槽蚀刻在3英寸InP衬底上高度均匀的N-InAlAs / InGaAs HEMT
机译:增强的gaAs / GlGaAs选择性选择性通过吸附CxFY在BCl_3 + CF_4等离子体中进行干法刻蚀,以精确控制HJFET阈值电压
机译:使用实时光谱椭圆偏振法原位控制和监视图案化半导体的干法和湿法蚀刻。
机译:选择性区域金属有机气相外延对位置控制的III–V化合物半导体纳米线太阳能电池
机译:使用原位过程控制,用于科学制造的化合物半导体的敏捷干蚀刻
机译:半导体光化学干蚀刻及其与半导体电子特性的关系