首页> 中国专利> 利用化合物半导体的选择性蚀刻制造微透镜和集成有微透镜的光电器件的方法

利用化合物半导体的选择性蚀刻制造微透镜和集成有微透镜的光电器件的方法

摘要

提供了一种利用化合物半导体的选择性蚀刻制造微透镜的方法和制造具有微透镜的光电器件的方法。形成微透镜包括对化合物半导体层进行构图和去除化合物半导体层的侧表面以形成大致为半球形的透镜。通过数字合金方法去除化合物半导体层的侧表面。具体而言,通过湿法蚀刻工艺去除化合物半导体层的侧表面。

著录项

  • 公开/公告号CN101336381B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-05-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 光州科学技术院;埃迪斯科文大学;

    申请/专利号CN200680051726.1

  • 发明设计人 张基洙;李用卓;A·卡迈;

    申请日2006-11-28

  • 分类号

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人邬少俊

  • 地址 韩国广域市

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02B 3/00 授权公告日:20100519 终止日期:20171128 申请日:20061128

    专利权的终止

  • 2011-01-26

    专利权的转移 IPC(主分类):G02B3/00 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 登记生效日:20101215 申请日:20061128

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-01-26

    专利权的转移 IPC(主分类):G02B 3/00 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 登记生效日:20101215 申请日:20061128

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-05-19

    授权

    授权

  • 2010-05-19

    授权

    授权

  • 2009-02-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-02-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-12-31

    公开

    公开

  • 2008-12-31

    公开

    公开

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