Circuits; Transistors; Emitters; Chips(Electronics); Voltage; Analog to digital converters; Gallium arsenides; Heterojunctions; Progress report;
机译:基于AlGaAs / GaAs,Si / SiGe和InGaAs / InP的最新异质结双极器件(HBT)的性能比较
机译:以InGaAs / GaAsP应变补偿层为基础材料的基于GaAs的异质结双极晶体管的器件特性
机译:GaAs / AlGaAs异质结器件中的等离子体共振效应:基于光谱元素模拟的分析
机译:亚太林业委员会第二十届会议2008年4月21日至26日,越南河内,APFC的进展和执行情况以及粮农组织支持的活动和倡议(包括对委员会第二十一届会议建议的后续行动)
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:临床报告和演示:神经科:1934年4月19日在伦敦皇后广场国家医院举行的临床会议:第9、10、11和12颅颅单侧瘫痪的颅底肿瘤(鼻咽内皮瘤)神经
机译:错误:'异质结半导体器件的结空电荷区域性能的分析研究:N-Alzga1-ZAS / P-GaAs系统的应用J。苹果。物理。 63,5766(1988)
机译:基于a / D的Gaas异质结器件(progress Report Number 12,may 1-30,1988)。