机译:以InGaAs / GaAsP应变补偿层为基础材料的基于GaAs的异质结双极晶体管的器件特性
Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan, Republic of China;
机译:使用低带隙InGaAsN基层的基于GaAs的高速异质结双极晶体管的工作电压大幅降低
机译:通过使用薄的基极和集电极层来改善InAlAs / InGaAs异质结双极晶体管的特性
机译:通过插入高掺杂的GaAsSb基极接触层来改善InGaAsSb基双异质结双极晶体管的高频特性
机译:PNP ALGAAS / INGAASN / GAAS双异质结双极性晶体管的器件特性
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:通过批量原子层沉积处理的基于HfO2的集成式1晶体管1电阻阻性随机存取存储器的材料见解
机译:GaAs / InGaAsn / GaAs P-N-P双异质结双极晶体管的器件特性
机译:假晶基极 - 发射极间隔层对铍掺杂InGaas / Inalas异质结双极晶体管电流诱导退化的影响