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【2h】

Device characteristics of the GaAs/InGaAsN/GaAs p-n-p double heterojunction bipolar transistor

机译：GaAs / InGaAsn / GaAs P-N-P双异质结双极晶体管的器件特性

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P.C. Chang; N.Y. Li; A.G. Baca; H.Q. Hou; C. Monier; J.R. Laroche; F. Ren; S.J. Pearton;
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年度 2001
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