一种多周期应变补偿型InGaAs/GaAs纳米线

摘要

本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种多周期应变补偿型InGaAs/GaAs纳米线结构，在衬底层上由下至上依次包括：一GaAs（111）B面的衬底材料，该衬底用于在其上外延生长纳米线各层材料；一掩膜层，用于形成图型衬底，为纳米线生长提供孔隙阵列并覆盖住相邻纳米线之间的间隙，为SiO₂材料；一GaAs纳米线层；一InGaAs纳米线，与GaAs形成径向异质结，为In_xGa_1‑xAs（0.01≤x≤1）材料；一GaAs层；第一应变补偿层，材料为GaAs_yP_1‑y（0.01≤y≤1）；一GaAs层；一InGaAs纳米线层，材料为In_xGa_1‑xAs（0.01≤x≤1）；一GaAs层；第二应变补偿层，材料为GaAs_yP_1‑y（0.01≤y≤1）；一GaAs层。以此类推，外延生长多周期应变补偿型InGaAs/GaAs纳米线。