一种多周期GaAs基线中点纳米线阵列

摘要

本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种多周期GaAs基线中点纳米线阵列结构，在衬底层上由下至上依次包括：一GaAs（111）B衬底材料；一掩膜层，为SiO₂材料；一GaAs纳米线层；一InGaAs量子点，与GaAs形成轴向异质结，为In_xGa_1‑xAs材料（0.01≤x≤1）；一GaAs层，轴向生长，与InGaAs形成轴向异质结；一GaAs层，径向生长，与InGaAs形成径向异质结；一GaAs层，轴向生长；一InGaAs量子点，材料为In_xGa_1‑xAs（0.01≤x≤1）；一GaAs层，轴向生长；一GaAs层，径向生长；一GaAs层，轴向生长。以此类推，外延生长多周期的GaAs基线中点纳米线阵列。