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机译:基于AlGaAs / GaAs,Si / SiGe和InGaAs / InP的最新异质结双极器件(HBT)的性能比较
Faculty of Engineering and Natural Sciences, Sabanci University, Orhanli, Tuzla, 34956 Istanbul, Turkey;
RF device; SiGe; GaAs; InP; HBT; modeling: Ⅲ-Ⅴ devices;
机译:基于Inp / ingaas的异质结双极晶体管(hbts)的击穿行为
机译:分析InP-InGaAs,InGaP-GaAs和SiGe异质结双极晶体管的基极偏置电流和固有基极电阻效应
机译:推导Si / SiGe:C和InP / InGaAs异质结双极晶体管的微波噪声性能分析模型的过程
机译:GaAs衬底上用于微波应用的变质InP / InGaAs双异质结双极晶体管(HBT)的开发
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:计算基础电流分量和inAlAs / GaAs和Inalas / Ingaas异质结双极晶体管的相对重要性的测定