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机译:基于GaSb / GaInAsSb / GaAlAsSb异质结构,传输频带为2-5 GHz的中红外光谱区1.2-2.4μm的高速光电二极管
photodiodes; heterostructur; photodiode;
机译:基于GaSb / GaInAsSb / GaAlAsSb异质结构,传输频带为2-5 GHz的中红外光谱区1.2-2.4μm的高速光电二极管
机译:基于p-GaSb / p-GaInAsSb / N-GaAlAsSb异质结的光电二极管的电学性质
机译:基于n-GaSb / n-GaInAsSb / p-AlGaAsSb异质结构的光电二极管,使用稀土元素生长,光谱范围为1.1-2.4 _m
机译:使用硫化物处理可改善GaSb / GaInAsSb / GaAlAsSb光电二极管异质结构在1.7-2.5 / spl mu / m光谱范围内的性能
机译:用于中红外检测的基于GaSb的II型InAs / GaSb超晶格光电二极管的生长和表征