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陈兴国;
中国通信学会;
异质材料;
机译:N-p和P-n GaSb / GaInAsSb红外光电探测器探测灵敏度的理论分析
机译:温度稳定的中红外GaInAsSb / GaSb垂直腔表面发射激光器(VCSEL)
机译:基于GaSb / GaInAsSb / GaAlAsSb异质结构,传输频带为2-5 GHz的中红外光谱区1.2-2.4μm的高速光电二极管
机译:GaInAsSb / GaSb长波长中红外探测器
机译:利用级联泵浦方案的基于GaSb的中红外I型量子阱二极管激光器
机译:I型中红外GaInAsSb / GaSb激光器中效率限制机制的波长依赖性
机译:用于非制冷探测器操作的中红外Inas / Gasb超晶格中残留背景载流子的研究
机译:GaSb包覆的中红外半导体激光器
机译:GASB涂层中红外半导体激光
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