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【2h】

Growth and Characterization of GaSb-Based Type-II InAs/GaSb Superlattice Photodiodes for Mid-Infrared Detection

机译:用于中红外检测的基于GaSb的II型InAs / GaSb超晶格光电二极管的生长和表征

摘要

Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant No 60625405, and the National Basic Research Program of China under Grant Nos 2007CB936304 and 2010CB327601.
机译:国家自然科学基金面上项目编号60625405,以及国家基础研究计划项目编号2007CB936304和2010CB327601的资助。

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