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机译:基于原子层沉积的非易失性FRAM存储器的性能和制造特性研究
机译:基于原子层沉积的非易失性FRAM存储器的性能和制造特性研究
机译:使用原子层沉积法将AlO嵌入Al2O3高介电常数介质中的NiO层的非易失性存储效应
机译:基于Al_2O_3隧穿和HfO_2阻挡层的非易失性存储电容器,在原子层沉积的Pt纳米晶体中具有电荷存储
机译:基于ZnO薄膜晶体管的SINX电荷陷阱非易失性存储器通过原子层沉积制备
机译:基于传感器的原子层沉积,可快速学习过程并增强可制造性。
机译:使用(MeCp)Pt(Me)3和O2前驱体在Al2O3膜上高密度Pt纳米点的原子层沉积用于非易失性存储应用
机译:使用(MeCp)Pt(Me)3和O2前驱体在Al2O3膜上高密度Pt纳米点的原子层沉积,用于非易失性存储应用
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。