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机译:通过原位SiNx中间层在SiC衬底上生长的无裂纹Al0.5Ga0.5N外延层
SiC; AlGaN; SiNx interlayer; Metal organic chemical vapor deposition;
机译:通过原位SiNx中间层在SiC衬底上生长的无裂纹Al0.5Ga0.5N外延层
机译:通过原位SiN_x夹层提高SiC衬底上生长的GaN外延层的质量和应变松弛
机译:无裂缝的高质量2 mu m厚的Al0.5ga0.5n在Si衬底上生长,具有超晶格过渡层
机译:4°轴外(0001)和(000-1)衬底上生长的4H-SiC脱节剂缺陷的比较研究
机译:减少在GaAs底物上生长在GaAs底物上的喘气脱位,用于光伏和蒸煮器应用
机译:在单晶MgO(001)基底上生长的FeRh外延层中基底诱导的应变场
机译:使用MOVPE在SiC衬底上生长的AlGaN / GaN异质结构中使用原位沉积的SiNx中间层降低位错密度