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机译:减少的功函数金属间晶种层允许多孔n-GaN的生长和低电阻率,欧姆电子传输
porous GaN; ohmic electron transport;
机译:减少的功函数金属间晶种层允许多孔n-GaN的生长和低电阻率,欧姆电子传输
机译:通过使用Ti(Ga)固溶体和TiN层,与用于垂直发光二极管的N面n-GaN的低电阻且热稳定的基于Ti / AI的欧姆接触
机译:电感耦合等离子刻蚀n面n-GaN的表面和电学性质以及降低等离子损坏n面n-GaN的欧姆接触电阻的方法
机译:由于功函数减少的金属间晶种层,导致多孔n型GaN层的低电阻电接触
机译:通过添加薄的高流动电阻率覆盖层来增强多孔材料的低频吸声效果。
机译:调整用于外延生长的高质量种子的多孔硅层的应变和表面粗糙度
机译:使用低功函数金属和薄TiOx界面层的低掺杂n型Si用于无掺杂Si太阳能电池的接触电阻率降低
机译:低温下硅表面反转层中的非欧姆电子传导。