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机译:电感耦合等离子刻蚀n面n-GaN的表面和电学性质以及降低等离子损坏n面n-GaN的欧姆接触电阻的方法
Plasma damage; N-face n-GaN; Inductively-coupled plasma (ICP); Ohmic contact resistance;
机译:电感耦合等离子刻蚀n面n-GaN的表面和电学性质以及降低等离子损坏n面n-GaN的欧姆接触电阻的方法
机译:低电阻欧姆接触形成于N面n-GaN,用于基于GaN的大功率垂直发光二极管
机译:N面n-GaN的低电阻铟基欧姆接触,用于GaN基垂直发光二极管
机译:Ti / Al n接触对N面n-GaN的热降解机理
机译:镍/金和钯/金欧姆接触与清洁的p型氮化镓(0001)表面之间形成的界面的电,化学和结构表征。
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:铟作为基于GaN的垂直发光二极管的N面n-GaN的有效欧姆接触
机译:贵金属电接触合金振荡板上磨损研究中硫的表面偏析:I。摩擦和电接触电阻