机译:由表面电荷捕获引起的半导体纳米线中全耗尽的临界半径
NAS RA Inst Radiophys &
Elect Ashtarak 0203 Armenia;
NAS RA Inst Radiophys &
Elect Ashtarak 0203 Armenia;
NAS RA Inst Radiophys &
Elect Ashtarak 0203 Armenia;
Russian Armenian Slavon Univ Yerevan 0051 Armenia;
semiconductor; nanowires; critical radius; full depletion;
机译:由表面电荷捕获引起的半导体纳米线中全耗尽的临界半径
机译:表面降低在N掺杂II VI半导体纳米晶体中陷阱形成的作用:如何充电而不减小表面
机译:金属-绝缘体-半导体结构中非平衡耗尽的特定特征伴随少数载流子被表面态俘获
机译:基于MIS结构耗尽区电压容量分析的表面电荷密度与半导体表面电势相关性确定的新方法
机译:微观研究有机半导体中电荷的命运:扫描开尔文探针测量p型和n型器件中的电荷俘获,传输和电场
机译:表面减少在陷阱形成中的作用在n掺杂II–VI半导体纳米晶体中:如何在不减少表面的情况下充电
机译:半导体纳米晶体中表面电荷俘获的显微照片
机译:场掺杂单晶有机半导体中电荷载流子和陷阱的光谱学。