The Institute of Radio Engineering and Electronics Russian Academy of Sciences, 141190 Fryazino, Moscow Region, Russia;
The Institute of Radio Engineering and Electronics Russian Academy of Sciences, 141190 Fryazino, Moscow Region, Russia;
mis-structure; quasistatic c-v-characteristics; surface potential; extra thin oxide; degenerated and quantum electron gas;
机译:从金属-绝缘体-半导体结构的电压电容特性无模型确定半导体表面电势上累积和反转半导体层中电荷密度的依赖性
机译:基于耗尽电容的表面电势准确评估SiC金属氧化物半导体结构中的界面态密度
机译:确定[011]区域中Pt(100)阶梯表面的零总电荷的电势。阶跃密度和阴离子吸附的影响
机译:新方法在确定耗尽区半导体表面电位电压分析的依次依赖性的依赖性
机译:在半导体表面调查电荷转移的实验和计算方法
机译:复合半导体的表面稳定性和生长动力学:从头开始的方法
机译:基于耗尽电容的表面电势准确评估SiC金属氧化物半导体结构中的界面态密度
机译:用运动学LEED计算确定化合物半导体表面结构的方法:Gaas(110)和Znse(110)。