机译:表面降低在N掺杂II VI半导体纳米晶体中陷阱形成的作用:如何充电而不减小表面
Delft Univ Technol Fac Sci Appl Optoelect Mat Sect Maasweg 9 NL-2629 HZ Delft Netherlands;
Vrije Univ Amsterdam Fac Sci Dept Theoret Chem Boelelaan 1083 NL-1081 HV Amsterdam Netherlands;
Vrije Univ Amsterdam Fac Sci Dept Theoret Chem Boelelaan 1083 NL-1081 HV Amsterdam Netherlands;
Delft Univ Technol Fac Sci Appl Optoelect Mat Sect Maasweg 9 NL-2629 HZ Delft Netherlands;
机译:表面降低在N掺杂II VI半导体纳米晶体中陷阱形成的作用:如何充电而不减小表面
机译:揭开表面陷阱对超超半导体纳米晶体中载波弛豫和传递动力学的作用
机译:修改后的半导体III-V(110)表面上的电荷重新分布
机译:递增的充电方法,以阐明静电图像缺陷地区OPC表面附近的(+)捕获电荷的作用
机译:在半导体表面上形成氨基硅烷和硫醇单层,并对III-V半导体进行本体湿法蚀刻。
机译:表面减少在陷阱形成中的作用在n掺杂II–VI半导体纳米晶体中:如何在不减少表面的情况下充电
机译:半导体纳米晶体中表面电荷俘获的显微照片
机译:表面重建对III-V半导体界面形成的影响:III / V组成的作用;杂志文章