形成包括I₂-II-IV-VI₄和I₂-(II,IV)-IV-VI₄半导体膜在内的半导体膜的方法以及包括所述半导体膜的电子装置

摘要

本发明的实施例概括来说包括使用于液体溶剂中包括元素I、II、IV和VI的来源的溶液形成具有标称I₂‑II‑IV‑VI₄化学计量比的半导体膜(例如CZTS或CZTSSe)的方法。可在所述溶剂中混合前体以形成所述溶液。在一些实例中，可使用金属卤化物盐作为前体。可将所述溶液涂覆到衬底上并退火以获得所述半导体膜。在一些实例中，所述元素‘I’和‘IV’的所述来源可含有处于+2价氧化态的所述元素，而所述半导体膜可含有处于+1价氧化态的所述元素‘I’和处于+4价氧化态的所述元素‘IV’。实例可用于提供I₂‑(II,IV)‑IV‑VI₄膜。