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机译:使用薄缓冲层在Si(111)上高垂直产量的InP纳米线生长
High vertical; two-step procedure; morphology;
机译:使用薄缓冲层在Si(111)上高垂直产量的InP纳米线生长
机译:Si(111)基板上的垂直InP纳米线的密度控制生长
机译:Zn掺杂对InP(111)B衬底上InP薄膜层表面结构和初始生长过程的影响
机译:使用薄缓冲层在硅上生长InP纳米线
机译:使用各种缓冲层在硅(111)晶圆上生长和表征氮化铝镓/氮化镓异质结构。
机译:金属有机化学气相沉积在InP(111)B上In(As)P纳米线的自催化生长和表征
机译:Si(111)基板上的垂直InP纳米线的密度控制生长
机译:双层金属催化剂生长垂直排列的ZnO纳米线阵列。