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配备有过渡金属缓冲层的包含纳米线的电子器件、至少一个纳米线的生长方法以及器件制造方法

摘要

本发明涉及一种电子器件,包含衬底(1)、至少一个半导体纳米线(2)和介于该衬底(1)和所述纳米线(2)之间的缓冲层(3)。该缓冲层(3)至少部分地由从其延伸出纳米线(2)的氮化过渡金属层(9)形成,所述氮化过渡金属选自:氮化钒、氮化铬、氮化锆、氮化铌、氮化钼,氮化铪或氮化钽。

著录项

  • 公开/公告号CN104904016A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-09-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201380063090.2

  • 申请日2013-10-25

  • 分类号H01L29/40(20060101);H01L21/02(20060101);H01L29/66(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/41(20060101);B82Y10/00(20060101);B82Y40/00(20060101);H01L33/00(20060101);H01L33/12(20060101);H01L33/20(20060101);C30B29/40(20060101);C30B29/60(20060101);C30B29/16(20060101);C30B29/36(20060101);C30B25/00(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人张力更

  • 地址 法国巴黎

  • 入库时间 2023-12-18 10:50:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-11

    授权

    授权

  • 2015-10-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/40 申请日:20131025

    实质审查的生效

  • 2015-09-09

    公开

    公开

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