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THE PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING AS A TOOL FOR GaN GAS SENSOR FABRICATION

机译:光化学蚀刻作为GaN气体传感器制造的工具

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摘要

Whisker and columnar structures of GaN were fabricated using photoelectrochemical etching in KOH solution. The conductivity changes of the obtained structures to ethylic alcohol and hydrogen were studied. Optimized design for sensor fabrication is proposed.
机译:GaN的晶须和柱状结构是通过在KOH溶液中进行光电化学蚀刻制成的。研究了所得结构对乙醇和氢的电导率变化。提出了传感器制造的优化设计。

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