机译:GaN的偏置增强型横向光电化学刻蚀,用于制造底切微机械系统结构
Univ Notre Dame, Dept Elect Engn, Notre Dame, IN 46556 USA;
N-TYPE GAN; HIGH-POWER; DEVICES; PHOTODETECTORS; TEMPERATURE; SUBSTRATE;
机译:通过感应耦合等离子体反应离子刻蚀制造具有22°底切侧壁的GaN基LED
机译:掩模材料电导率对硅纳米柱制造中横向底切蚀刻的影响
机译:通过RIE干蚀刻和KOH湿蚀刻技术结合沿<1120>方向制造GaN基条纹结构,以恢复干蚀刻损伤
机译:光电化学刻蚀法制备静电致动单晶4H-SiC桥结构
机译:使用光电化学蚀刻技术开发和制造基于氮化镓的微盘激光器。
机译:GaN的极性反转横向过生长和选择性湿法蚀刻和再生长(PILOSWER)
机译:用于在GaN(0001)衬底上制造量子纳米结构的AlGaN / GaN的ECR干蚀刻和选择性MBE生长的研究