Антиструктурные дефекты в кристаллах InP и InP<Sn>, облученных γ-квантами

М.И.Алиев; Ш.Ш.Рашвдова; М.А.Гусейнова

首页> 外文期刊>Физикаи　химия　обработки　материалов >Антиструктурные дефекты в кристаллах InP и InP, облученных γ-квантами

【24h】

Антиструктурные дефекты в кристаллах InP и InP, облученных γ-квантами

机译：γ量子线辐照的InP和InP 晶体的反位缺陷

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Методом термолюминесценции в легированных оловом и облученных у-квантами монокристаллах InP обнаружен пик люминесценции при 230 К с энергией активации 0,19 эВ, приписанный комплексу "вакансия-антиструктурный примесный дефект донорного типа ". Образование антиструктурных дефектов в облученных кристаллах подтверждается данными ИК-спектроскопии.

机译：通过热致发光，在掺杂有锡并被γ量子辐照的InP单晶中发现了在230 K处的发光峰，其激活能为0.19 eV，这归因于复杂的“施主型空位-结构杂质杂质缺陷”。红外光谱数据证实了辐照晶体中反位缺陷的形成。

著录项

来源
《Физикаи　химия　обработки　материалов》 |2008年第5期|共3页
作者
М.И.Алиев; Ш.Ш.Рашвдова; М.А.Гусейнова;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类工程材料学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. InP and Sn:InP based quantum dot sensitized solar cells [J] . Yang Suolong, Zhao Pengxiang, Zhao Xiaochong, Journal of Materials Chemistry, A. Materials for energy and sustainability . 2015,第43期

机译：基于InP和Sn：InP的量子点敏化太阳能电池
2. Антиструктурные дефекты в кристаллах InP и InP, облученных γ-квантами [J] . Физикаи　химия　обработки　материалов . 2008,第5期

机译：γ量子线辐照的InP和InP 晶体的反位缺陷
3. Антиструктурные дефекты в кристаллах InP и InP, облученных γ-квантами [J] . Физикаи　химия　обработки　материалов . 2008,第5期

机译：INP和INP 用γ-Quanta辐射的晶体中的抗结构缺陷
4. Mechanical Properties of InAs/InP and InAs(S,Sn)/InP Semiconductor Alloys [C] . R. Navamathavan, R. Radhika, G. Attolini, International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices . 2002

机译：INAS / INP和INAS（S，SN）/ INP半导体合金的机械性能
5. Simulation and Comparison of High Speed GaAsSb-InP and InGaAs-InP Uni-Traveling-Carrier Photodiodes [D] . Guneroglu, Ugur 2019

机译：高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
6. Raman Spectroscopic Characterizations of Self-Catalyzed InP/InAs/InP One-Dimensional Nanostructures on InP(111)B Substrate using a Simple Substrate-Tilting Method [O] . Jeung Hun Park, Choong-Heui Chung 2019

机译：使用简单的基板倾斜方法在InP（111）B基板上自催化InP / InAs / InP一维纳米结构的拉曼光谱表征
7. Raman Spectroscopic Characterizations of Self-Catalyzed InP/InAs/InP One-Dimensional Nanostructures on InP(111)B Substrate using a Simple Substrate-Tilting Method [O] . Jeung Hun Park, Choong-Heui Chung 2019

机译：使用简单的基底倾斜法对INP（111）B衬底上的自催化INP / INAS / INP一维纳米结构的拉曼光谱特征
8. Etude des Surfaces d'InP et des Interfaces InP Isolant Par Photoluminescence (Photoluminescence Study of InP Surfaces and InP-Insulator Interfaces) [R] . Bourdoucen, H. 1987

机译：Etude des surfaces d'Inp et des Interfaces Inp Isolant par photoluminescence（Inp表面和Inp绝缘体界面的光致发光研究）

Антиструктурные дефекты в кристаллах InP и InP, облученных γ-квантами

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅