机译：使用简单的基底倾斜法对INP（111）B衬底上的自催化INP / INAS / INP一维纳米结构的拉曼光谱特征
机译：通过自组织各向异性应变工程在有图案的InP（100）和（311）B衬底上演化有序的一维和二维InAs / InP量子点阵列
机译：在INP / InAs异质结构纳米线上的直径定制的电信带发光在INP（111）B底板上生长，具有从Microscale到纳米级的连续调制的直径
机译：用MOCVD法在图案化区域（111）B底板上的选择性面积生长在纳米纳米线的垂直生长表征
机译：Ga / sub 0.2 / In / sub 0.8 / As和InAs / sub 0.5 / P / sub 0.5 /在InP衬底上生长的层的应变弛豫范围为1.6至2.4 / spl mu / m光谱范围Ga / sub x / In / sub 1 -x / As / InAs / sub y / P / sub 1-y // InP光电二极管应用
机译：自组装InAs / InP量子点中相互扩散的基本机制和动力学。
机译：使用简单的基板倾斜方法在InP（111）B基板上自催化InP / InAs / InP一维纳米结构的拉曼光谱表征
机译：在INP（001），INP（111）B和INP（011）表面上生长的平面内INA的选择性区域化学束外延一维通道
机译：（100）和（111）B Inp衬底上的高效，深结，外延Inp太阳能电池
