Indium phosphides; Photoluminescence; Quality control; Semiconductor junctions; Semiconductors (Materials); Medium scale integration; Characterization; Emission spectra; Integrated circuits; Manufacturing; Process control (Industry);
机译:氮化InP(100)表面的室温光致发光研究
机译:hBN / InP界面的深层瞬态和光致发光光谱研究
机译:从严格的光致发光效率分析得出的Inp(1 0 0)真空退火表面的表面态密度分布
机译:GaAs和INP表面提交给H_2 Evolution的比较。光致发光的研究委托
机译:ZnO,TiO2和金刚石薄膜的纳米级表面和界面缺陷的光致发光和表面光电压研究。
机译:不同厚度InGaAs / InAlAs / InP单量子阱界面涨落效应的光致发光研究
机译:InP表面和SiNx / InP界面上的硫化物辅助重排