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大尺寸InP晶体中位错排及小角晶界的形成及分析

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本文通过实验生长了6英寸磷化铟(InP)晶体,研究了不同掺杂InP晶锭中位错分布及XRD衍射峰特征.研究发现:在掺铁及掺硫的晶体中均在XRD峰中出现了肩膀峰,形成了位错排及小角晶界,掺铁晶体比掺硫晶体中XRD衍射峰的肩膀峰的角度要大.本文根据XRD衍射峰的特征分析了晶体生长过程中应力分布、掺杂及位错排诱导的小角晶界与小角晶界形成的关系.最后研究了富铟夹杂物晶体中的位错分布及XRD衍射峰,进一步对比了其形成机制,揭示了位错排及小角晶界的形成.

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来源
《第十八届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》||277-280|共4页
会议地点厦门
作者
王书杰; Shujie Wang; Niefeng Sun; 孙聂枫; Haoyu Wang; 王昊宇; Yanlei Shi; 史艳磊; Huimin Shao; 邵会民; Lijie Fu; 付莉杰; Jiang Jian; 姜剑; Xiaodan Zhang; 张晓丹; Ruixia Yang; 杨瑞霞; 刘惠生; Huisheng Liu; Tongnian Sun; 孙同年;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
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中图分类
关键词
磷化铟; 中位错排; 小角晶界; 应力分布;

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