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齐志华; 李献杰;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
GaAsSb/InP; 双异质结双极晶体管; 技术发展现状; 欧姆接触电极; InGaAs; 化学腐蚀工艺; Pt/Ti; 制作工艺;
机译:InP-lnAIAs复合发射极抑制InP / GaAsSb双异质结双极晶体管的表面重组
机译:InAlAs-InP / GaAsSb / InP双异质结双极晶体管的温度依赖性研究
机译:Ⅱ型InP / GaAsSb / InP双异质结双极晶体管的二维仿真
机译:InP / InAlAs / GaAsSb / InP双异质结双极晶体管中的电流传输机制
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:酵母肌醇多磷酸5-磷酸酶Inp52p和Inp53p转移到肌动蛋白补丁后高渗应激:调节血浆膜内陷的磷脂酰肌醇45-双磷酸肌醇的机制。
机译:使用InP-GaAsSb-InP双异质结双极晶体管测量磷化铟的电子引发的碰撞电离系数
机译:Inp / Gaassb / Inp双异质结双极晶体管。
机译:砷化镓锑(GaAsSB)/磷化铟(InP)异质结双极晶体管(HBT)的隧穿概率降低
机译:砷化镓锑化镓(GaAsSb)/磷化铟(InP)异质结双极晶体管(HBT)具有降低的隧穿概率
机译:GaAsSb / InP异质结双极晶体管及其制造方法
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