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郑冬冬;
Hz InP/InGaAs/InP max 击穿电压 电流增益 接触面积;
机译:CBE生长的具有In InGaAs / InP超晶格基极-集电极结的高f / sub max / InP双异质结双极晶体管
机译:硅衬底上的高频InP / InGaAs双异质结双极晶体管
机译:BV CEO sub> = 12 V和 f italic> max sub> = 470 GHz的InP / InGaAs双异质结双极晶体管
机译:f / sub max / = 425 GHz的转移衬底InP / InGaAs / InP双异质结双极晶体管
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:InP / GaAsSb / InP异质结双极晶体管转移到衬底上的应用研究与实现。
机译:通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。
机译:InGaAs / InP使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器。
机译:InP衬底上的AlPSb / InP单异质结双极晶体管,用于高速,高功率应用
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