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机译:处于断态应力下的深亚微米部分耗尽的SOI NMOSFET中前沟道和后沟道的退化
silicon-on-insulator; hot-carrier effect; hump; back gate;
机译:处于断态应力下的深亚微米部分耗尽的SOI NMOSFET中前沟道和后沟道的退化
机译:深亚微米双材料栅极(DMG)部分耗尽的SOI MOSFET中抑制短沟道效应的证据-二维分析方法
机译:在部分耗尽的SOI nMOSFET薄栅极氧化物浮体中热载流子引起的漏极电流滞后和瞬变的退化
机译:在宽温度范围内具有完全耗尽和部分耗尽操作的亚微米渐变沟道SOI nMOSFET的性能比较
机译:完全耗尽的Δ沟道SOI NMOSFET的实现
机译:毒死application应用胁迫下土壤细菌和真菌群落演替以及使用ERIC-PCR进行毒死rif分离菌株的分子表征
机译:栅氧化层击穿对深亚微米NmOsFET射频噪声的影响
机译:深亚微米全耗尽sOImOsFET的DLTs和动态跨导分析