超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应

摘要

本文对超深亚微米SOI NMOSFET的热载流子效应进行了试验研究.实验结果表明:关态应力条件下,浮体超深亚微米SOI器件具有明显的热载流子效应,其特有的寄生双极效应是器件显著热载流子损伤的重要原因;与前栅晶体管一样,背栅晶体管在关态应力下也表现出显著的热载流子效应,其产生明显热载流子效应的机理与前栅晶体管相同.相同应力条件下,沟道长度越短,热载流子效应越强,原因在于沟道长度直接决定了寄生双极效应的强度.