退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
nMOSFET; 沟道热载流子; 退化; E-E散射; HC寿命;
机译:具有LDD结构的0.1μm以下亚沟道nMOSFET / SIMOX中热载流子引起的异常g_m退化
机译:深亚微米nMOSFET中的热载流子退化:轻掺杂漏极与大角度倾斜注入漏极
机译:处于断态应力下的深亚微米部分耗尽的SOI NMOSFET中前沟道和后沟道的退化
机译:电子散射在高V / sub GS /条件下促进深亚微米NMOSFET沟道热载流子退化的作用
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:硅中电荷载流子的高阳极电压聚焦使得能够以高密度和高纵横比蚀刻规则排列的亚微米孔
机译:使用基于N 2 O的栅极电介质在NmOsFET中的aC热载流子引起的退化
机译:比较热载流子引起具有H或D钝化界面的0.25(微米)mOsFET中的退化
机译:新型注入方法可提高深亚微米CMOS技术中厚栅极氧化物接地栅极NMOSFET的ESD鲁棒性
机译:氧氮化法在亚微米MOS器件中的热载流子可靠性
机译:场效应管制造处理特别是亚微米量子线沟道-使用两级电子束抗蚀剂系统,在抗蚀剂层中具有不同的电子曝光灵敏度,并在砷化镓层中形成栅极凹口,并在砷化铝镓沟道层中干刻蚀出孔
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。