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任红霞; 郝跃;
西安电子科技大学微电子研究所;
深亚微米; 槽栅PMOSFET; 热载流子效应; 短沟道效应; 结构参数; 场效应晶体管;
机译:掺杂浓度对深亚微米沟槽栅PMOSFET中短沟道效应抗扰度的影响
机译:深亚微米沟槽栅PMOSFET中热载流子产生机理和热载流子免疫
机译:单栅和双栅深亚微米SOI-MOSFET的亚阈值摆幅和短沟道效应
机译:超深亚微米SOI pMOSFET的沟道热载流子退化研究
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:忽略载流子隧穿对深亚微米mOsFET直接隧道栅电流计算中静电势的影响
机译:深亚微米器件的三维仿真。杂质原子如何影响电导率
机译:抑制短沟道效应的方法和深亚微米场效应晶体管结构
机译:在深亚微米CMOS器件中人工诱发反向短沟道效应的方法
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